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IGBT典型失效现象及分析
日期:2009-8-5 22:31:45 点击:
来源:中国工控网
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1、温度上升对IGBT参数的影响

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温度上升包含两个意思:一是IGBT中的电磁场能量转化为热能,主要由于器件中的电阻热效应;一是器件发热与外部冷却之间的相互作用,发生的热量如果不能及时散发出去,即散发能力不够,则使温度上升。
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温度上升,IGBT中的两个晶体管的放大系数α1和α2均增大,该两个晶体管构成一个寄生晶闸管。借助于IGBT等效电路图(图3),开通过程为:当给栅极加压Vg,产生Ig,则MOSFET开通,产生I1,I1为PNP的基极电流,开通PNP,产生I2,I2为NPN提供基极电流,产生I3,使整个IGBT全面开通。I1、I2和I3构成IGBT开通后的全部电流,其中I2为主要部分。当温度上升,α1和α2上升,使α1+α2→1,将使寄生晶闸管出现“闭锁效应”,而使IGBT一直导通,即使Vg去掉,I1=0,由于该闭锁效应,PNPN导通,开关失效。因此,温度上升, 增加,使得重复开断的通态电流下降。图4为SKM600GB126D 型IGBT的通态电流IC随温度变化的曲线【5】。从图中可以看到,随温度升高,电流下降,且在800C之后,电流下降非常迅速。 字串4
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图4 IGBT(SKM600GB126D)温度-电流曲线(略)
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在一台实际的160kW三电平变频器中,温升试验中发生的IGBT失效现象说明该问题:该变频器所选的IGBT型号为SKM600GB126D,工频下重复可关断电流为600A。该变频器起动后,带满载运行,额定电流为315A。起动稳定后的50分钟运行一切正常,随着运行时间的增加,IGBT壳温从300C上升到1200C,装置发生过流保护。分析其原因:当IGBT壳温达到1200C以后,最大重复可关断电流值发生变化(约为250A),驱动开关发生失效,直流母排中点电压平衡破坏,造成直通过流,器件保护。一般解决该问题的主要措施有:
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(1)减小器件的发热,选择适当的IGBT参数;
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(2)加强散热,主要从冷却结构和方式中寻找最优结构和方式;
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(3)降低开关频率,在开关频率为1k以上,开关损耗超过总损耗的一半;
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(4)缩短开通和关断时间,也是为了减小开关损耗,但要注意,di/dt和 dv/dt的升高,引起另外的器件失效机理;
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(5)降低谐波分量。谐波分量不转化为有功,但增加器件内部电阻损耗。
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2、输入电压升高,开关器件保护,PWM脉冲失效,中点电压平衡破坏
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仍以上面的160kW、380V低压三电平变频器为例,其调制采用SVPWM方法,开环VVVF控制,驱动一台160kW的异步电机。当输入电压为300V以下时,起动运行都没有问题,中点电压平衡很好。但输入电压升至350V或者380V时,则电机起动不起来,IGBT发生保护,中点电压偏离,严重时烧坏器件。
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事实上,当起动电机时,电机速度为零。电机反电势为零,其等效电路图如图5所示。其中R为回路电阻,L1为回路漏电感,Lr为电机电枢电感(可变,与电机反电势相对应),V为电源。Lr为零,而R与L1很小,此时回路电流基本为短路电流,数值很大,且该数值取决于电源电压。输入电源电压越高,则短路电流越大。该大电流使得di/dt、dv/dt均增大,直至超过IGBT的承受值,使得IGBT保护,驱动脉冲失效,打破了中点平衡开关序列规律,而使中点电压发生偏离。从能量的角度来看,此时输出的机械能受阻,输入电磁能在变频器内部吸收,尤其在IGBT内部转化,轻则使得器件保护,重则器件烧坏。此时电磁能与机械能转化不合理,电流中的有功和无功分量不合理。
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图5 变频调速系统等效电路图(略)
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有效的解决方法主要包括:
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(1)增加有效预励磁,减小起动电流,提高启动转矩,使电流有功分量和无功分量分配合理;
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(2)设定低频启动,延长起动时间,使得di/dt和dv/dt降低;
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(3)减小v/f补偿值,适当减小占空比,起动力矩也随之有效减小;
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(4)在母排上加一起动限流器,以减小di/dt,正常运行时再切除掉。
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3、驱动功率不够,PWM脉冲失效,中点平衡破坏
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当驱动电压脉冲Vg没有足够的值,或者即使达到了阈值,但持续的时间太短,其波形如图6所示,导致IGBT不能有效的打开,而使IGBT开关顺序破坏,致使中点电压偏离,最后导致器件过压保护,严重时器件击穿。
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分析其原因主要有三:
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(1)驱动电源本身能力不够,驱动电压和尖峰电流都达不到要求,或者其中之一达不到要求,导致驱动电压、电荷不到位;
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(2)驱动回路延时过大(电阻或电容过大),使驱动电压上升太慢,所需时间大于最小脉宽时间,导致IGBT远没有完全打开就执行关断指令,IGBT没有实现开通;
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(2)驱动电源质量不好,电压本身有波动,或者受外部dv/dt和di/dt的干扰,导致驱动电压本身变化,而使驱动脉冲失效;
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