单结晶体管的结构与特性
日期：2008-3-5 18:07:41 来源：本站整理
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单结晶体管有一个PN结和三个电极，即一个发射极和二个基极，所以又叫双基极二极管。 ——可——编——程——控－制－器－技——术——门——户
单结晶体管有一个重要的电气特性——负阻特性，利用这种特性可以组成张弛振荡器、自激多谐振荡器、阶梯波发生器、定时器等多种脉冲单元电路。 WWW_PLCJS@_COM%－PLC－技.术_网
单结晶体管的内部结构：在一块高阻率的N型硅片两端，制作两个接触电极，分别叫第一基极b1和第二基极b2，硅片的另一侧在靠近第二基极b2处制作了一个PN结，并在P型硅片上引出电极E，E叫发射极。 WWW_PLC※JS_COM－PmLC－技.术_网
第一基极b1和第二基极b2之间的纯电阻，称为基区电阻，一般在2 KΩ~ 10 KΩ之间。第一基极b1与发射极E之间的电阻，在正常工作时，将随发射极电流而变化。PN结的作用相当于一个二极管。 ——可——编——程——控－制－器－技——术——门——户
在阻值比较中，E-b1的阻值较大，E-b2的阻值较小；即E-b1的阻值 大于 E-b2的阻值。 WWcW_PLCJS_COM－PLC－技.术_网
用万用表测单结晶体管的阻值，第一基极b1和第二基极b2之间的正反电阻均一样，为正常，否则该单结晶体管性能不好。
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IGBT管的结构与工作原理
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